2026. 2. 17. 21:11ㆍ직장에서 탈출하기/산업 분석
반도체란?
- 제어 가능성: 특정 불순물을 넣거나 전압을 걸어 전류를 흐르게 하거나 멈추게 할 수 있습니다.
- 스위치 역할: 디지털 세상의 기본 단위인 0과 1 신호를 만드는 '전기 스위치' 역할을 합니다.
- 재료: 지구상에 흔한 모래에서 추출한 실리콘(규소)이 주원료로 사용됩니다.
- 메모리 반도체: 정보를 저장하고 기억합니다 (예: DRAM, NAND 플래시).
- 시스템 반도체: 수치를 계산하고 정보를 처리하는 두뇌 역할을 합니다 (예: CPU, GPU, AP).

반도체 역사
1. 진공관 시대(1900~1947)
- 진공관은 전류를 증폭할 수 있었음
- 초기 컴퓨터인 ENIAC은 진공관 17,000개 이상 사용.
문제점
- 너무 큼
- 열 많이 남
- 전력 많이 먹음
- 고장 잘 남
👉 "더 작고 안정적인 스위치"가 필요했다
2 트랜지스터 탄생(1947년)
실리콘은 반도체다.
- 전기가 완전 안 흐르는 것도 아니고
- 완전 도체도 아님
여기에 불순물을 넣으면?
- N형 (전자 많음)
- P형 (전자 부족)
이 둘을 붙이면 PN 접합이 생김 → 전류를 제어할 수 있음 ->전기를 “켜고 끄는 스위치”가 됨.(현대 CPU의 기본 단위)
3. 집적회로(IC) 혁명(1958~)
이전에는 트랜지스터 하나씩 납땜했지만, 실리콘 웨이퍼 위에 수천 개를 한 번에 제작하게 되었음
👉 이걸 집적회로(IC)라고 함.
이때 intel 공동 창업자인 고든 무어가 "트랜지스터 수는 약 2년마다 2배 증가한다"라고 말함 -> 무어의 법칙
이후 수십 년간 반도체 발전의 경험적 기준이 되었다. 무어의 법칙은 컴퓨터의 성능 향상과 가격 하락을 설명하는 상징적 원리가 되었으며, 오늘날까지 기술 산업의 지표로 언급된다.
4. 마이크로프로세서 시대(1971~)
CPU를 하나의 칩에 넣는 데 성공하였음, 여기서 진짜 컴퓨터 산업 폭발 시작. PC 혁명이 1980년대부터 시작하였으며 이때부터
개인 PC 보급이 발생하고 it 산업이 점점 커지게 됨
예전에는 설계(Fabless) + 제조(Foundry)를 모두 직접 하였지만 1990년대부터 팹리스-파운드리 구조로 산업 구조가 바뀌게 되었음
👉 공정 장비 비용이 천문학적이다. EUV 한 대가 수천억 원.
설계 회사 (Fabless)
- NVIDIA
- Qualcomm
제조 회사 (Foundry)
- TSMC
- Samsung Electronics
5. GPU와 병렬 컴퓨팅(2000~)
CPU로는 병렬 처리가 한계가 있었고, GPU는 원래 그래픽용이었는데 아래와 같은 특징으로 인해 AI 연산에 적합해짐
- 단순 연산 코어 수천 개
- 병렬 처리 특화
6. 모바일 SoC 혁명(2000~)
CPU + GPU + NPU + ISP 통합, 전력 효율 중심 설계.
7. AI 반도체 시대(2000~ 현재)
전통적인 컴퓨터 구조(폰 노이만 구조)에서는 CPU/GPU와 메모리(DRAM)가 떨어져 있는 구조이다. AI 모델이 거대해지면서 데이터를 주고받는 속도가 연산 속도를 못 따라가는 메모리 벽(Memory Wall) 현상이 발생하여 병목(BottleNeck)이 되었음

이러한 문제를 해결하기 위해 HBM이 나오게 되었음!
자세한건 2편 에서...
메모리
메모리는 프로그램과 데이터를 저장하기 위해 설계된 반도체이다.
1. SRAM(Static RAM, 1960년)
SRAM은 “플립플롭” 구조이고 6개의 트랜지스터 (6T), 두 개의 인버터가 서로를 물고 있음.
비유하면
- A가 1이면 B는 0
- B가 0이니까 다시 A는 1 유지
위 구조로 서로 상태를 계속 유지하고 있음. 이로 인해 아래와 같은 특징들이 나타남
- 전원만 있으면 데이터 유지됨
- refresh 필요 없음
- 빠름
- 비쌈
- 전력 소모 큼
- 면적 큼
- 그래서 CPU 캐시에 사용됨.
2. DRAM(Dynaic RAM, 1968~70)
1968년 IBM에서 DRAM 개념 발명하였음.
DRAM= 트랜지스터 1개 + 커패시터 1개 (1T 1C)의 구조이고 커패시터에 전하 저장을 하고 전하가 있으면 1, 없으면 0이다.
문제
- 전하 누설 발생
- 주기적으로 refresh 필요
- 읽는 순간 전하가 사라짐 → 다시 써줘야 함
→ 아날로그 + 디지털 혼합 구조
→ 싸고 밀도 높음
→ 느리고 관리 복잡
👉DRAM이 면적이 작고 싸게 대량 생산이 가능하여 주 메모리는 DRAM을 많이 사용하게 됨
| 구분 | SRAM | DRAM |
| 풀네임 | Static RAM | Dynamic RAM |
| 기본 셀 구조 | 6T (6개 트랜지스터) | 1T1C (1 트랜지스터 + 1 커패시터) |
| 저장 방식 | 플립플롭 상태 유지 | 커패시터 전하 저장 |
| Refresh 필요 | ❌ 없음 | ✅ 필요 (주기적 충전) |
| 속도 (Latency) | 매우 빠름 (ns 단위) | 느림 (수십~수백 ns) |
| 밀도 (집적도) | 낮음 (면적 큼) | 높음 (면적 작음) |
| 가격 | 매우 비쌈 | 저렴 |
| 소비 전력 | 정적 전력 높음 | refresh로 인한 동적 전력 |
| 제조 난이도 | 로직 공정과 유사 | 커패시터 구조가 공정 난이도 높음 |
| 사용 위치 | CPU 캐시 (L1~L3) | 메인 메모리 |
| 데이터 유지 | 전원만 있으면 안정 | 전하 누설로 점점 사라짐 |
| 확장성 | 면적 때문에 대용량 비경제적 | 대용량 확장에 유리 |
| 신호 특성 | 디지털 회로 기반 | 아날로그 전하 기반 |
- 전략: "우리는 HBM(메모리)을 세계에서 제일 잘 만든다."
- 협력: 조립은 1위 업체인 TSMC에 맡깁니다. 엔비디아-TSMC-SK하이닉스로 이어지는 '삼각 동맹'의 핵심 멤버입니다.
- 특징: 비메모리(파운드리/패키징) 욕심을 내기보다, 잘하는 메모리에 올인하여 시장 주도권을 잡았습니다.
- 전략: "우리한테 오면 칩 생산부터 HBM, 조립까지 한 번에 다 해줄게."
- 강점: 메모리와 파운드리를 모두 가진 세계 유일의 기업이라는 점을 활용합니다.
- 특징: 고객사 입장에서 여러 회사를 상대할 필요가 없어 물류 비용과 시간을 아낄 수 있다는 점을 강조합니다.
- 1위는 TSMC: 질문하신 대로 패키징(조립) 기술, 특히 AI 칩에 필수인 CoWoS 기술력은 TSMC가 압도적입니다.
- 삼성의 추격: 삼성도 'SAINT'라는 이름의 차세대 패키징 기술을 선보이며 TSMC의 점유율을 뺏어오기 위해 사활을 걸고 있습니다.
정리
반도체의 역사는 아래처럼 역사가 흘러 성장하게 되었다
- 트랜지스터의 탄생 (1947년): 진공관은 크고 뜨겁고 잘 깨졌습니다. 벨 연구소에서 발명된 트랜지스터는 고체 물질 내에서 전자를 제어하며 전자기기의 소형화를 이끌었습니다.
- 집적 회로(IC)와 무어의 법칙 (1960년대~): 수천 개의 트랜지스터를 하나의 판에 새기기 시작했습니다. "2년마다 반도체 성능이 2배가 된다"는 무어의 법칙은 수십 년간 반도체 산업의 골든 룰이 되었습니다.
- 분업화의 시작 (1980년대~): 설계만 하는 팹리스(NVIDIA, Apple)와 생산만 하는 파운드리(TSMC)로 시장이 나뉘며 기술의 전문성이 극대화되었습니다.
- AI 반도체 시대
- GPU 시대: 원래 그래픽용이었으나 병렬 연산 능력이 좋아 AI 학습에 차용됨.
- NPU(Neural Processing Unit) 시대: AI 연산(행렬 곱셈)에만 최적화된 전용 반도체.
- PIM(Processor-In-Memory): 커널 수준에서 보면 CPU가 메모리에서 데이터를 가져오는 대신, 메모리 내부에서 직접 연산을 처리하여 데이터 이동을 최소화하는 기술
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